LMG3522EVM-042

LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

LMG3522EVM-042

購入

概要

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 650V の入力電圧で動作
  • LMG3522R030-Q1 の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブを使用して、ロジックと電力段の主な波形を測定できる、利便性の高い複数のプローブ点

  • ファン付きヒートシンクが付属

窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3522R030 ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET
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開始する

  1. 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カードである LMG3522EVM-042 を注文します
  2. (オプション) LMG342x ファミリ向け、GaN システム・レベル評価基板 (EVM) である LMG342X-BB-EVM を注文します
  3. LMG352XEVM-04X ユーザー ガイドを読みます

購入と開発の開始

ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card

TI.com で取り扱いなし
評価ボード

LMG342X-BB-EVM — LMG342x の評価マザーボード

TI.com で取り扱いなし
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

設計ファイル

技術資料

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種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* EVM ユーザー ガイド (英語) LMG352XEVM-04X EVM User's Guide (Rev. A) 2021年 2月 3日
データシート LMG3522R030-Q1 650 V 30 mΩ GaN FET、ドライバと保護機能および温度レポート機能内蔵 データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2024年 3月 6日
証明書 LMG3522EVM-042 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

サポートとトレーニング

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