TI の高度な電力段デバイスを活用することで、ソリューション サイズの最小化、電力密度の最大化、効率の最適化、およびシステム保護の強化を実現できます。高精度の遠隔測定機能を搭載した TI のスマート電力段と TI のスケーラブルなマルチフェーズ コントローラを組み合わせれば、効率的なマルチフェーズ DC/DC システム ソリューションを実現することができます。これらを組み合わせることで、冗長部品の排除、スイッチング損失の低減、およびシステム全体の信頼性の向上を、コンパクトなフットプリントで実現することができます。加えて、複数のゲート ドライバを内蔵した GaN (窒化ガリウム) FET と各種 GaN パワー デバイスで構成された TI のファミリは、寿命、信頼性、およびコストに関する利点を実現する非常に効率的な GaN ソリューションに役立ちます。
カテゴリ別の参照
TI の GaN および Si MOSFET 電力段はシステム効率の向上と設計の簡素化に貢献&
信頼性を重視して製作済み
TI の各種 GaN デバイスは、独自の GaN on Si (ノーマリー オフかつ安価なシリコン ウェハー上に GaN 回路を形成するので、高額なサファイア ウェハーが不要) プロセスを通じ、高電圧システムの安全性を維持できる設計を採用しており、信頼性試験で 4,000 万時間を上回る長さを達成しているほか、複数の保護機能も搭載しています。
高集積
MOSFET、ドライバ、電流センシング機能を内蔵しているため、複数の受動部品の排除に役立つ包括的な切り替え機能を実現し、ソリューション サイズの小型化やプリント基板レイアウトの簡素化を進めることができます。
磁気素子の小型化、電力密度の向上
TI の各種 GaN デバイスを採用すると、スイッチング速度 (スルーレート) を高め、500kHz 超過のスイッチング周波数を実現することができます。その結果、磁気素子の最大 60% 小型化、性能の向上、システム コストの削減が可能になります。
技術リソース
アプリケーション・ノート
Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
熱管理は、大電力の設計の成否を左右する可能性があります。 TI の QFN 12mm x 12mm パッケージは、さまざまなアプリケーションで優れた性能を発揮できる設計を採用しています。パッケージの詳細と、熱設計を最適化する方法に関するヒントをご覧ください。
アプリケーション・ノート
Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
同期整流 降圧コンバータは、低電圧、大電流のアプリケーションで広く使用されているトポロジです。電力損失が小さく高効率の同期整流降圧コンバータは、将来に対応する高度なマイクロプロセッサに大きな需要があります。
ホワイト・ペーパー
Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
TI の dMode (デプリーション モード) GaN デバイス ファミリは、カスコードなしでノーマリー オフ動作を実現できます。ダイレクト ドライブ アーキテクチャとその利点を解説しています。